Prosím počkejte chvíli...
Nepřihlášený uživatel
Nacházíte se: VŠCHT PrahaCentrální laboratoře → Laboratoř analýzy povrchů → přístroje
iduzel: 27378
idvazba: 34995
šablona: stranka
čas: 28.3.2024 17:23:44
verze: 5351
uzivatel:
remoteAPIs:
branch: trunk
Server: 147.33.89.153
Obnovit | RAW
iduzel: 27378
idvazba: 34995
---Nová url--- (newurl_...)
domena: 'clab.vscht.cz'
jazyk: 'cs'
url: '/lap/pristroje'
iduzel: 27378
path: 1/20076/20077/20080/27362/27378
CMS: Odkaz na newurlCMS
branch: trunk
Obnovit | RAW

Laboratoř analýzy povrchů

Laboratoř je vybavena přístrojem ESCAProbeP vyrobený firmou Omicron Nanotechnology Ltd. V roce 2004 Přístroj je vybaven monochromátorem, dvěma typy iontových děl, detekcí elektronů s 5 channeltrony, možností kompenzace nabíjení vzorku pomocí zdroje nízkoenergetických elektronů, zdrojem UV záření pro analýzu valenčních stavů, fokusovatelným zdrojem elektronů a detektorem sekundárních elektronů.

originál

Celkové uspořádání

Stroj se skládá z analyzační komory, preparační komory, vstupní komory kombinované s expoziční komorou. Na preparační komoře je připojena napařovačka a iontové dělo. Na analyzační komoře je, kromě hemisférického detektoru elektronů osazeného 5 chaneltrony, další iontové dělo, analyzátor sekundárních elektronů, monochromatizovaný zdroj RTG záření ( 1486.7 eV), fokusovatelný zdroj elektornů na Auger analýzu, zdroj nízkoenergetických elektronů pro kompenzaci nabíjení vzorku a pro LEED a duální RTG zdroj (Al/Mg).

Experimentální podmínky: Analýza probíhá v UHV vakuu, tj. za tlaků řádu 10-10 mbar. Je možné provádět analýzy za zvýšených teplot (do 400 °C) i za nízkých teplot (teploty blízké kapalnému dusíku).

Analyzovaná plocha pomocí XPS: Podle nastavení přístroje od stopy s průměrem 1,3 mm do průměru 70 mikrometrů.

Další dostupné měřící techniky:

UPS - analýza valenčních stavů pomocí zdroje ultrafialového záření
SEM - s rozlišovací schopností 1 μm
SAM (Scanning Auger Microscopy) - možnost mapování elementárního složení povrchu, spojeno se SEM, stejná rozlišovací schopnost
LEED - difrakce nízkoenergetických elektronů

Aktualizováno: 30.5.2016 15:49, Autor:


VŠCHT Praha
Technická 5
166 28 Praha 6 – Dejvice
IČO: 60461373
DIČ: CZ60461373

Datová schránka: sp4j9ch

Copyright VŠCHT Praha 2014
Za informace odpovídá Oddělení komunikace, technický správce Výpočetní centrum
zobrazit plnou verzi