Prosím počkejte chvíli...
Nepřihlášený uživatel
Nacházíte se: VŠCHT PrahaCentrální laboratoře → Laboratoř RTG → Kontakty + lidé → Ing. Simona Randáková

Ing. Simona Randáková

Vzdělání 

1988        titul Ing. v oboru Technologie silikátů na FCHT VŠCHT Praha(téma: Interakce chalkogenidových skel)

1999        kurz automatické spektrometrie na VŠB-TU Ostrava

 

Zaměstnána 

1988-1992        technolog závodu Osvětlovací sklo,s.p.,závod Rapotín

1993-1998        komerční pracovník – Banka Haná,a.s.

1998-        odborný pracovník laboratoře LRD, VŠCHT  Praha

 

Odborné zaměření: 

Aplikace rentgenové fluorescenční analýzy pro kvantitativní a semikvantitativní prvkové složení práškových, kompaktních a kapalných vzorků, měření tenkých vrstev. Spoluautor skript „Speciální úlohy využití RTG záření v materiálovém výzkumu“, používaných při praktické výuce studentů VŠCHT. 

 

 

Granty 

 

Ukončené projekty: 

 

GAČR 

 

Růst krystalù PbI2 z taveniny se zřetelem na aplikaci tohoto rentgenového detektoru v medicíně a ekologii (GAČR 102/01/1338) – člen týmu

 

FRVŠ 

 

Využití rtg. záření v materiálovém výzkumu (FRVŠ H102-1999) – člen týmu 

Využití rtg. záření v materiálovém výzkumu (FRVŠ H789-2000) – člen týmu 

 

 

Současné  projekty

 

GAČR 

 

Studium vlivu příměsí na elektrické a optoelektronické vlastnosti krystalů PbI2 pěstovaných z taveniny (GAČR 102/04/0959) - člen týmu

 

 

Seznam publikací:  

 

1. M.Míka, M.Pátek, J.Maixner, S.Randáková: The Effect of Temperature and Composition on Spinel Concentration and Crystal Size in High-Level Waste Glass, Radioactive Waste Management and Environmental Remediation (2001) 1.

Aktualizováno: 3.6.2016 10:42, Autor: Jan Prchal

VŠCHT Praha
Technická 5
166 28 Praha 6 – Dejvice
IČO: 60461373
DIČ: CZ60461373

Datová schránka: sp4j9ch

Copyright VŠCHT Praha 2014
Za informace odpovídá Oddělení komunikace, technický správce Výpočetní centrum
zobrazit plnou verzi